云开

  • <run class="paxsu"></run>

    2. 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      480

      导（dǎo）通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      600

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      7

      通道极性：

      N沟道

      封装/温（wēn）度(℃)：

      TO-252-2L(DPAK)/-55~125

      描（miáo）述：

      650V,600mΩ,5A,N沟道基（jī）于超（chāo）级结技术的功率MOSFET



      云开

      云开


      4.