云开

  • <run class="paxsu"></run>

    2. 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      700

      导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      850

      最大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

      5

      驱动电压(V)：

      10

      通道极性：

      N沟道

      封装/温度(℃)：

      DPAK-3/-55~125

      描述：

      650V,850mΩ,5A,N沟道基于超级结技（jì）术（shù）的功率MOSFET


      云开

      云开