云开

  • <run class="paxsu"></run>

    2. 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      83

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      99

      最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

      40

      通道极性：

      N沟道（dào）

      封装（zhuāng）/温度（dù）(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描述：

      600V,99mΩ,40A,N沟道基于超级结技（jì）术的功（gōng）率MOSFET


      云开

      云开