云开

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    2. 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      177

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      190

      最大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

      20

      通（tōng）道极性：

      N沟道

      封（fēng）装/温度(℃)：

      TO-252-2L(DPAK)/-55~125

      描述：

      650V,190mΩ,20A,N沟（gōu）道（dào）基于超级结技术（shù）的功率MOSFET


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