云开

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    2. 漏（lòu）源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      120

      导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      150

      最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

      24

      驱动电压(V)：

      10

      通道（dào）极性：

      N沟道

      封装/温度(℃)：

      TO-220F-3/-55~125

      描述：

      600V,150mΩ,24A,N沟道基于超级结技（jì）术（shù）的功率MOSFET



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