云开

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    2. 漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

      700

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      900

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      1100

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      5

      通道（dào）极性：

      N沟道

      封装/温（wēn）度(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描（miáo）述：

      700V,1100mΩ,5A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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      4.