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    2. 漏源电（diàn）压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      115

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      150

      最大（dà）漏极电流（liú）Id(on)(A)：

      24

      通道极（jí）性：

      N沟道

      封装/温度(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描述（shù）：

      600V,150mΩ,24A,N沟道基于（yú）超（chāo）级结技（jì）术的（de）功率MOSFET



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