云开

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    2. 漏源（yuán）电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

      700

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      320

      导（dǎo）通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      400

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      15

      驱动（dòng）电压(V)：

      10

      通道极性（xìng）：

      N沟道（dào）

      封装/温度(℃)：

      TO-220F-3/-55~125

      描述：

      700V,400mΩ,15A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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