云开

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    2. 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      83

      导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      99

      最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

      40

      通道极性：

      N沟（gōu）道

      封装/温度（dù）(℃)：

      TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

      描述（shù）：

      600V，99mΩ，40A，N沟道基于超级结技术的（de）功率MOSFET



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