云开

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    2. 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      150

      导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      180

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      20

      通（tōng）道极性：

      N沟道

      封装/温度(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描（miáo）述：

      600V,180mΩ,20A,N沟（gōu）道（dào）基于超级结技术的（de）功率MOSFET


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