云开

  • <run class="paxsu"></run>

    2. 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      170

      导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      190

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      20

      驱动电压(V)：

      10

      通道极性：

      N沟（gōu）道（dào）

      封装/温度(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描（miáo）述：

      650V,190mΩ,20A,N沟（gōu）道基于超级（jí）结（jié）技（jì）术的功（gōng）率MOSFET


      云开

      云开