云开

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    2. 漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      300

      导通电（diàn）阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      360

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      11

      驱（qū）动（dòng）电压(V)：

      10

      通道极性：

      N沟道（dào）

      封装/温度（dù）(℃)：

      TO-220-3/-55~125

      描述：

      650V，360mΩ，11A，N沟道基于超级结技术的功率（lǜ）MOSFET



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