云开

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    2. 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      480

      导（dǎo）通（tōng）电（diàn）阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      600

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      7

      通道极性：

      N沟道

      封装/温度(℃)：

      TO-251-3L(IPAK)/-55~125

      描（miáo）述：

      650V,600mΩ,7A,N沟（gōu）道基于超级结技术的（de）功率MOSFET



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