云开

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    2. 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      110

      导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      130

      最大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

      30

      通道极性：

      N沟道

      封（fēng）装/温度（dù）(℃)：

      TO-247-3L/-55~125

      描述：

      600V,130mΩ,30A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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