云开

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    2. 漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      250

      导（dǎo）通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      290

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      15

      通道极性：

      N沟道

      封（fēng）装/温度(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描（miáo）述：

      650V,290mΩ,15A,N沟道（dào）基（jī）于超级（jí）结技术的功率（lǜ）MOSFET


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