云开

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    2. 漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      83

      导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      99

      最（zuì）大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

      40

      通道极（jí）性：

      N沟道

      封装（zhuāng）/温度（dù）(℃)：

      TO-247-3L/-55~125

      描述：

      600V,99mΩ,40A,N沟道基（jī）于超级结技术的功率MOSFET


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