云开

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    2. 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      65

      导（dǎo）通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      70

      最（zuì）大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

      47

      通道极性：

      N沟（gōu）道

      封装（zhuāng）/温（wēn）度(℃)：

      TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

      描述：

      600V,70mΩ,47A,N沟道基于超级（jí）结技术的（de）功率MOSFET



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