云开

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    2. 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      480

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      600

      最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

      7

      通道极性：

      N沟道

      封（fēng）装/温度(℃)：

      SOT-223-2L/-55~125

      描述：

      650V,600mΩ,7A,N沟道基（jī）于超级（jí）结技术的（de）功率MOSFET


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